Samsung率先出货12层HBM4E内存：14Gbps速度、48GB容量，AI芯片内存竞赛进入新阶段
Samsung率先出货12层HBM4E内存：14Gbps速度、48GB容量，AI芯片内存竞赛进入新阶段
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Samsung 宣布已开始向全球主要客户出货 12 层 HBM4E 高带宽内存样品，成为业界首家交付这一新世代 AI 内存的厂商，暂时领先竞争对手 SK Hynix 和 Micron。
核心参数
HBM4E 是 HBM4 的增强版本，面向下一代 AI 加速器和超大规模数据中心：
- 速度：稳定运行 14Gbps，可扩展至 16Gbps
- 容量：单堆叠 48GB（12 层），后续提供 32GB（8 层）和 64GB（16 层）选项
- 带宽：单堆叠最高 3.6TB/s
- 能效：比上代 HBM4 提升 16%
- 散热：热阻改善超过 14%，通过优化封装结构实现更好的散热表现
与 HBM4 的对比
相比目前已用于 AMD Instinct MI455X 等加速卡的 HBM4，HBM4E 在带宽上实现了超过 20% 的提升。同时在不增加功耗的前提下改善了能效和热管理，这对高密度 AI 机架的长期可靠性至关重要。
Samsung 半导体开发负责人黄相俊表示："继 HBM4 成功量产后，Samsung 再次以 HBM4E 展示了独特的技术优势。我们将通过先进制造能力和前瞻性基础设施投资，持续推动全球 AI 内存市场的增长。"
行业影响
HBM 已成为 AI 硬件供应链中最关键的瓶颈之一。NVIDIA 的下一代 Vera Rubin AI 超级芯片预计将采用 HBM4E 内存，Samsung 率先出货意味着它在争夺 NVIDIA 等大客户订单时获得了时间窗口优势。
此前 SK Hynix 凭借与 NVIDIA 的紧密合作长期主导 HBM 市场。Samsung 此次抢先交付 HBM4E 样品，标志着 HBM 竞赛格局可能出现变化——尽管最终量产订单的归属仍取决于良率、产能和客户验证结果。
后续节奏
Samsung 表示将根据客户需求和产品路线图协调后续量产出货计划。考虑到 AI 基础设施投资仍在加速，HBM4E 的量产时间表将直接影响 2026 年下半年至 2027 年 AI 芯片的交付节奏。
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*基于 HotHardware 报道整理。*
参考来源
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